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cách đánh đề miền nam(www.vng.app):美光宣布LPDDR5X行动记忆体正式量产,并获高通 Snapdragon 8 Gen 2 参考设计

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美光科技宣布,LPDDR5X 行动记忆体已获高通 Snapdragon 8 Gen 2 纳入参考设计。Snapdragon 8 Gen 2 为高通公司针对旗舰级手机所推出的最新行动平台,参考设计主要用途是供品牌业者展示此晶片组在设计智慧型手机时的各项优点,美光 LPDDR5X 亦整合在高通 Snapdragon 8 Gen 2 参考设计中,成为主要架构的一环,持续受到市场青睐。与此同时,此款记忆体也已量产出货,将有助于第一款内建 LPDDR5X 的手机达到最高速度。

美光最新推出的 LPDDR5X 专为高阶及旗舰智慧型手机打造,峰值传输率达 8.533Gbps,不仅比前一代产品 LPDDR5 提升 33%,也比去年秋天所支援的 7.5 Gbps 传输率更能满足高频宽、高数据量用途对高性能行动记忆体的需求。

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美光资深副总裁暨行动事业部总经理 Raj Talluri 表示:「如今智慧型手机能实现 5G、AI 等技术,且能存取大量数据,超高速行动记忆体的功劳不容小觑,可说是手机创新的幕后英雄。目前美光最高速的 LPPDR5X 已量产并在全球舖货,将带动行动生态系研发新一代装置以及各类超乎想像的应用。」 

去年十一月,美光领先半导体业,运用其率先面市的 1α(1-alpha)制程制作出最快、最先进的行动记忆体 LPDDR5X 并送样认证,继先前推出业界第一款 LPDDR5、1α制程LPDDR4X、176 层 NAND 行动 UFS 3.1 和 uMCP5 解决方案之后又下一城。美光将持续推动市场加快采用 LPDDR5X,巩固自身产品创新能力及行动生态系领导地位。

高通技术公司产品管理副总裁 Ziad Asghar 指出:「要想达到 Snapdragon 8 Gen 2 所标榜的光速上网、动态体验以及划时代效能,性能强悍的高速记忆体不可或缺。美光 LPDDR5X 记忆体可达 8.5 Gbps,前所未有的超高速率及能源效率,正能满足高通晶片组所需。」

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